APTC60BBM24T3G

Microchip Technology

APTC60BBM24T3G

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

在产SP3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 47.5A, 10V
基础料号APTC60
配置2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14400pF @ 25V
制造商Microchip Technology
Product StatusActive
系列CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 5mA

电气

漏源电压600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C95A
Power - Max462W

机械

封装Bulk
Package / CaseSP3
供应商器件封装SP3

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)