通用
| 基础料号 | APT80GP60 |
|---|---|
| IGBT Type | PT |
| 输入类型 | Standard |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 80A |

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
| 基础料号 | APT80GP60 |
|---|---|
| IGBT Type | PT |
| 输入类型 | Standard |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 80A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Power - Max | 1041 W |
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| 供应商器件封装 | T-MAX™ [B2] |