APT53F80J

Microchip Technology

APT53F80J

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP

在产SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 43A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17550 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
系列POWER MOS 8™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C57A (Tc)
最大功耗960W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装ISOTOP®

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)