APT37M100B2

Microchip Technology

APT37M100B2

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

在产TO-247-3 Variant模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs330mOhm @ 18A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9835 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Tc)
最大功耗1135W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3 Variant
供应商器件封装T-MAX™ [B2]

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)