APT30M61SLLG/TR

Microchip Technology

APT30M61SLLG/TR

模拟与电源

MOSFET N-CH 300V 54A D3PAK

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs61mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3720 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列POWER MOS 7®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Tc)
最大功耗403W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装D3PAK

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)