APT20M18B2VRG

Microchip Technology

APT20M18B2VRG

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX

在产TO-247-3 Variant模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 50A, 10V
基础料号APT20M18
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9880 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列POWER MOS V®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

电气

漏源电压200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3 Variant
供应商器件封装T-MAX™ [B2]