APL502B2G

Microchip Technology

APL502B2G

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

在产TO-247-3 Variant模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 29A, 12V
基础料号APL502
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9000 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
最大功耗730W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3 Variant
供应商器件封装T-MAX™ [B2]

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)