2N7008-G

Microchip Technology

2N7008-G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3

在产TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
基础料号2N7008
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
包装Bag
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA (Tj)
最大功耗1W (Tc)

机械

Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装TO-92-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)