2N7002-G

Microchip Technology

2N7002-G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
基础料号2N7002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C115mA (Tj)
最大功耗360mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23 (TO-236AB)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)