2N5115

Microchip Technology

2N5115

模拟与电源

JFET P-CH 30V TO18

在产TO-206AA, TO-18-3 Metal Can模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Resistance - RDS(On)100 Ohms
基础料号2N5115
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 15V
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
Product StatusActive

电气

漏源电压30 V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id6 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)60 mA @ 15 V
Power - Max500 mW

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供应商器件封装TO-18 (TO-206AA)

环境

GradeMilitary
工作温度-65°C ~ 200°C (TJ)
QualificationMIL-PRF-19500