1N6628US

Microchip Technology

1N6628US

模拟与电源

DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

在产SQ-MELF, A模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号1N6628
Capacitance @ Vr, F40pF @ 10V, 1MHz
制造商Microchip Technology
安装类型Surface Mount
包装Bulk
产品状态在产
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.35 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io)1.75A
Current - Reverse Leakage @ Vr2 µA @ 660 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

Package / CaseSQ-MELF, A
供应商器件封装A-MELF

环境

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C