1N649-1

Microchip Technology

1N649-1

模拟与电源

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

在产DO-204AH, DO-35, Axial模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号1N649
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 400 mA
Current - Average Rectified (Io)400mA
Current - Reverse Leakage @ Vr50 nA @ 600 V
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

机械

封装Bulk
Package / CaseDO-204AH, DO-35, Axial
供应商器件封装DO-35

环境

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C