1N5554

Microchip Technology

1N5554

模拟与电源

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

在产B, Axial模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号1N5554
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
包装Bulk
产品状态在产
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 9 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 1000 V
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

机械

Package / CaseB, Axial
供应商器件封装B, Axial

环境

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C