1N3595US/TR

Microchip Technology

1N3595US/TR

模拟与电源

DIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF

在产SQ-MELF, B模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

制造商Microchip Technology
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)3 µs
技术Standard

电气

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 200 mA
Current - Average Rectified (Io)4A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 nA @ 125 V
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, B
供应商器件封装B, SQ-MELF

环境

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C