SICW1000N170A-BP

Micro Commercial Co

SICW1000N170A-BP

模拟与电源

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.32Ohm @ 1.5A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds124 pF @ 1000 V
制造商Micro Commercial Co
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+25V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

电气

漏源电压1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
最大功耗69W

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247AB

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)