SI2318A-TP

Micro Commercial Co

SI2318A-TP

模拟与电源

MOSFET N-CH SOT23-3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 20 V
制造商Micro Commercial Co
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
最大功耗1.2W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)