SI2312A-TP

Micro Commercial Co

SI2312A-TP

模拟与电源

N-CHANNEL MOSFET,SOT-23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 3.4A, 4.5V
基础料号SI2312
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds865 pF @ 10 V
制造商Micro Commercial Co
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A
最大功耗1.2W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)