SI2101A-TP

Micro Commercial Co

SI2101A-TP

模拟与电源

P-CHANNEL MOSFET

在产SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 10 V
制造商Micro Commercial Co
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A
最大功耗450mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装SOT-323

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)