MSJAC11N65Y-TP

Micro Commercial Co

MSJAC11N65Y-TP

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 11A DFN5060

已停产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds901 pF @ 50 V
制造商Micro Commercial Co
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
最大功耗78W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装DFN5060

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)