MCMN2012-TP

Micro Commercial Co

MCMN2012-TP

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 12A DFN2020-6J

停产/老旧6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 9.7A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 4 V
制造商Micro Commercial Co
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)

机械

封装Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装DFN2020-6J

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)