MCG50N02-TP

Micro Commercial Co

MCG50N02-TP

模拟与电源

MOSFET N-CH DFN3333

停产/老旧8-VDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 20A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2408 pF @ 10 V
制造商Micro Commercial Co
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A
最大功耗20.8W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装DFN3333

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)