MCG25P06Y-TP

Micro Commercial Co

MCG25P06Y-TP

模拟与电源

P-CHANNEL MOSFET,DFN3333

在产8-VDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 20A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 30 V
制造商Micro Commercial Co
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A
最大功耗60W (Tj)

机械

Package / Case8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装DFN3333

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)