MCB90N12A-TP

Micro Commercial Co

MCB90N12A-TP

模拟与电源

N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 45A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4600 pF @ 60 V
制造商Micro Commercial Co
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
最大功耗138W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装D2PAK

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)