MCB110P06Y-TP

Micro Commercial Co

MCB110P06Y-TP

模拟与电源

P-CHANNEL MOSFET,D2-PAK

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 20A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5810 pF @ 30 V
制造商Micro Commercial Co
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
最大功耗125W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装D2PAK

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)