LSIC1MO170T0750

Littelfuse Inc

LSIC1MO170T0750

Datasheet

模拟与电源

SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 2A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 1000 V
制造商Littelfuse Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A (Tc)
最大功耗65W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装TO-263-7L

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)