LSIC1MO170E1000

Littelfuse Inc

LSIC1MO170E1000

模拟与电源

SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L

停产/老旧TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 2A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 1000 V
制造商Littelfuse Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
最大功耗54W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247AD

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)