LSIC1MO120E0160

Name: LSIC1MO120E0160
Brand: Littelfuse Inc

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3

在产TO-247-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 10A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	870 pF @ 800 V
制造商	Littelfuse Inc.
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 5mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Tc)
最大功耗	125W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)