LSIC1MO120E0080

Littelfuse Inc

LSIC1MO120E0080

Datasheet

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1825 pF @ 800 V
制造商Littelfuse Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10mA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C39A (Tc)
最大功耗179W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247AD

环境

工作温度-55°C ~ 150°C