IXTP1R6N100D2

Littelfuse Inc

IXTP1R6N100D2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 800mA, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds645 pF @ 25 V
制造商Littelfuse Inc.
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态在产
系列Depletion
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Tc)
最大功耗100W (Tc)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)