IXTA08N50D2

Littelfuse Inc

IXTA08N50D2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 800MA TO263

在产TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds312 pF @ 25 V
制造商Littelfuse Inc.
安装类型Surface Mount
包装Tube
产品状态在产
系列Depletion
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Tc)
最大功耗60W (Tc)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)