TH58NYG3S0HBAI6

Kioxia America, Inc

TH58NYG3S0HBAI6

存储器与存储

IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA

在产67-VFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND (SLC)
访问时间25 ns
基础料号TH58NYG3
制造商Kioxia America, Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
写周期时间25ns

电气

存储容量8Gbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceParallel
供电电压1.7V ~ 1.95V
Memory Organization1G x 8

机械

封装Tray
Package / Case67-VFBGA
供应商器件封装67-VFBGA (6.5x8)

环境

工作温度-40°C~85°C(TA)