通用
| 存储器类型 | Non-Volatile |
|---|---|
| 技术 | FLASH - NAND (SLC) |
| 访问时间 | 25 ns |
| 基础料号 | TH58BYG2 |
| 制造商 | Kioxia America, Inc. |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | Benand™ |
| 写周期时间 | 25ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 4Gbit |
|---|---|
| 存储格式 | FLASH |
| Memory Interface | Parallel |
| 供电电压 | 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 512M x 8 |
机械
| 封装 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 67-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 67-VFBGA (6.5x8) |
环境
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) |
|---|