TC58BVG1S3HBAI6

Kioxia America, Inc

TC58BVG1S3HBAI6

存储器与存储

IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

在产67-VFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND (SLC)
访问时间25 ns
基础料号TC58BVG1
制造商Kioxia America, Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Benand™
写周期时间25ns

电气

存储容量2Gbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceParallel
供电电压2.7V ~ 3.6V
Memory Organization256M x 8

机械

封装Tray
Package / Case67-VFBGA
供应商器件封装67-VFBGA (6.5x8)

环境

工作温度-40°C~85°C(TA)