通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 100A, 10V |
|---|---|
| 基础料号 | VWM200 |
| 配置 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| 制造商 | IXYS |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 100V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 210A |
机械
| 封装 | Box |
|---|---|
| Package / Case | V2-PAK |
| 供应商器件封装 | V2-PAK |
环境
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
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