VMO650-01F

IXYS

VMO650-01F

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB

停产/老旧Y3-DCB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds59000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
系列HiPerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 130mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C690A (Tc)
最大功耗2500W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseY3-DCB
供应商器件封装Y3-DCB

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)