VMO580-02F

IXYS

VMO580-02F

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI

停产/老旧Y3-Li模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 430A, 10V
基础料号VMO580
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2750 nC @ 10 V
制造商IXYS
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
系列HiPerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 50mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C580A (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseY3-Li
供应商器件封装Y3-Li

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)