通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 500A, 10V |
|---|---|
| 基础料号 | VMM650 |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1440nC @ 10V |
| 制造商 | IXYS |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 系列 | HiPerFET™ |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 100V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 680A |
机械
| 封装 | Box |
|---|---|
| Package / Case | Y3-Li |
| 供应商器件封装 | Y3-Li |
环境
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|