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MMIX1G320N60B3

IXYS

MMIX1G320N60B3

模拟与电源

MOSFET N-CH

在产24-PowerSMD, 21 Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Gate Charge585 nC
IGBT TypePT
输入类型Standard
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)66 ns
系列GenX3™
Switching Energy2.7mJ (on), 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C44ns/250ns
Test Condition480V, 100A, 1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 100A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)400 A
Current - Collector Pulsed (Icm)1000 A
Power - Max1000 W

机械

封装Tube
Package / Case24-PowerSMD, 21 Leads
供应商器件封装24-SMPD

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)

相似元器件

根据 MMIX1G320N60B3 系列、制造商或产品分类匹配的相似元器件。

需确认

该料号暂未匹配到相关元器件。