MEO550-02DA

IXYS

MEO550-02DA

模拟与电源

DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6

在产Y4-M6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号MEO550
制造商IXYS
安装类型Chassis Mount
包装Bulk
产品状态在产
Reverse Recovery Time (trr)200 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 520 A
Current - Average Rectified (Io)582A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 mA @ 200 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

Package / CaseY4-M6
供应商器件封装Y4-M6

环境

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 150°C