通用
| 基础料号 | LSIC1MO120 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| 制造商 | IXYS |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |