IXTZ550N055T2

IXYS

IXTZ550N055T2

模拟与电源

MOSFET N-CH 55V 550A DE475

停产/老旧6-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchT2™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C550A (Tc)
最大功耗600W (Tc)

机械

封装Tube
Package / Case6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装DE475

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)