IXTY1N120P

IXYS

IXTY1N120P

模拟与电源

MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号IXTY1
FET TypeN-Channel
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Polar
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA