IXTY02N120P

IXYS

IXTY02N120P

模拟与电源

MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds104 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Polar
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Tc)
最大功耗33W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)