IXTY01N100D

IXYS

IXTY01N100D

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80Ohm @ 50mA, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Depletion
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 25µA

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA (Tc)
最大功耗1.1W (Ta), 25W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)