IXTX120P20T

IXYS

IXTX120P20T

模拟与电源

MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3

在产TO-247-3 Variant模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 60A, 10V
基础料号IXTX120
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds73000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列TrenchP™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3 Variant
供应商器件封装PLUS247™-3