IXTV96N25T

IXYS

IXTV96N25T

模拟与电源

MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220

停产/老旧TO-220-3, Short Tab模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6100 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列Trench
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C96A (Tc)
最大功耗625W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3, Short Tab
供应商器件封装PLUS220

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)