IXTV30N60PS

IXYS

IXTV30N60PS

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 30A PLUS-220SMD

停产/老旧PLUS-220SMD模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5050 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PolarHV™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
最大功耗540W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CasePLUS-220SMD
供应商器件封装PLUS-220SMD

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)