IXTV200N10T

IXYS

IXTV200N10T

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220

停产/老旧TO-220-3, Short Tab模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9400 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列TrenchMV™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
最大功耗550W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3, Short Tab
供应商器件封装PLUS220

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)