IXTV110N25TS

IXYS

IXTV110N25TS

模拟与电源

MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD

停产/老旧PLUS-220SMD模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 55A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9400 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

电气

漏源电压250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
最大功耗694W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CasePLUS-220SMD
供应商器件封装PLUS-220SMD

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)