IXTT8P50

IXYS

IXTT8P50

模拟与电源

MOSFET P-CH 500V 8A TO268

在产TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 4A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3400 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
最大功耗180W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装TO-268AA

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)